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機器詳細

機器名 電子プローブマイクロアナライザ
コード 0036
分野 その他
目的別分類
メーカー名 日本電子株式会社
型式 JXA-8230
製造年
写真
仕様 元素分析範囲  
 WDS : B~92U         
 EDS : B~92
X線分光範囲  
 WDS分光範囲    : 0.087~9.3 nm 
 EDSエネルギーレンジ: 20 keV 
X線分光器数  
 WDS : 5基(分光結晶数10枚) 
 EDS : 1基 
最大試料寸法  100 mm×100 mm×50 mm(H) 
加速電圧    0.2~30 KV(0.1 KVステップ) 
照射電流範囲  10-12~10-5 A 
照射電流安定度 ±0.05 % / h、±0.3 % / 12 h (W) 
二次電子分解能 6 nm (W)、5 nm (LaB6) 
走査倍率    ×40~×300,000 (W.D. 11 mm) 
走査像解像度  最大5120×3840
装置の概要 極めて細く絞った電子線束を試料に照射し、試料の表面近傍数μm3程 の領域から発生する特性X線の種類とそれらの強度を測定することによって、局所についての定性・定量分析を行います。電子ビーム又は試料を連続的に移動させての線分析や、電子ビームを試料上の一定領域について掃引させての面分析ができます。試料から放射される反射電子や二次電子の信号を用いると反射電子像や二次電子像が得られ、二次電子像のうち表面の凹凸情報だけを収集することにより、走査型電子顕微鏡的な利用も可能です。 導電性の乏しい物質を分析・観察する際は、事前に、試料に炭素などの薄膜を蒸着させます。なお、岩石中の鉱物などを分析する時は、ダイヤモンドペーストを用いて試料を研磨しておかなくてはなりません。 本装置での分析及びデータ解析はPC(OS:Windows7)で行っていますので操作が容易です。また、定性・定量分析プログラムはもちろんのこと、凹凸試料の測定面分析プログラムや年代測定プログラムも装備しており、多種多様の分析に利用できます。さらに、カソードルミネッセンスシステムも組み込まれており、半導体や地質、セラミック分野などへの応用も可能です。
外部利用可否
管理責任者 小野 恭史・機器分析施設
機器管理者 石﨑 泰男・都市デザイン学部
山田 聖・機器分析施設
キャンパス 五福
設置場所 総合研究棟 1019室 (E3)
設置年度 2009年度
学内利用申請 機器分析施設に利用申請書を提出してください。